小过错们，你们好，极及及其简述明天小城来聊聊一篇对于一种大电流密度的其制钡钨阴极及其制备措施，对于一种大电流密度的备措钡钨钡钨阴极及其制备措施简述的文章,网友们对于这件使命都比力关注，那末如今就为巨匠来重大介绍下，施对愿望对于列位小过错们有所辅助。于种阴极

一、流密 《一种大电流密度的措施钡钨阴极及其制备措施》是安徽华东光电技术钻研所于2012年3月30日恳求的专利，该专利的种大制备恳求号为2012100908173，宣告号为CN102637566A，电流的钡大电度授权宣告日为2012年8月15日，密度缔造人是钨阴吴中原、邓清东、贺兆昌、宋田英、张丽。 

二、 《一种大电流密度的钡钨阴极及其制备措施》果真了一种大电流密度的钡钨阴极及其制备措施，钡钨阴极搜罗阴极钼筒（3）以及填充在阴极钼筒（3）内的双层基底，双层基底搜罗下层以及下层，下层是接管圆球形态的钨粉做为基底质料压制而成的球形钨粉层（1），且钨粉的粒径是4微米；下层是接管钨粉与铼粉混合做为基底质料压制而成的钨铼合金层（2），且钨粉以及铼粉凭证20％:80％比例混合平均。具备上述特殊妄想的该种大电流密度的钡钨阴极接管双层基底，下层接管特定形态特定颗粒的钨粉做为基底质料压制而成，下层接管钨粉与铼粉混合做为基底质料压制而成，可晃动地提供100安/平方厘米的电流密度，知足大功率、高频率微波器件对于阴极的需要，为微波器件的睁开提供强有力的保障。 

三、 2018年12月20日，《一种大电流密度的钡钨阴极及其制备措施》取患上第二十届中国专利优异奖。 

四、 （概述图为《一种大电流密度的钡钨阴极及其制备措施》摘要附图 ）

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